氮化鎵材料 _GaN厚膜襯底_ 氮化鎵自支撐襯底-蘇州納維科技有限公司

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蘇州納維科技有限公司創立于2007年，以中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技術依托，立足于設備的自主研發，專注于從事高質量、大尺寸氮化物材料的生長與產品開發，為產業界和研發機構提供各類氮化鎵材料，目前公司擁有核心技術專利三十余項，是中國首家氮化鎵襯底晶片供應商。

目前公司針對企業、高校和研究所的不同用戶，主要提供如下產品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜襯底(GaN/sapphire)，位錯密度為10⁷/cm²量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；二、2英寸氮化鎵自支撐襯底(free-standing GaN substrate)，厚度約0.3mm，位錯腐蝕坑密度為10⁶/cm²量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；三、小尺寸方形(邊長5mm～20mm)氮化鎵襯底，位錯腐蝕坑密度為10⁶/cm²量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型，單面或者雙面拋光；四、小尺寸非極性面氮化鎵襯底，a面或者m面；五、高結晶度氮化鎵粉體材料；六、氮化鋁襯底。

蘇州納維將立足于材料生長技術和設備的持續創新，努力在新一代顯示、節能照明、微波通訊、電力電子、醫學成像等產業領域為下游客戶帶來核心價值。

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